[发明专利]一种芯片降温装置在审
| 申请号： | 201711238370.9 | 申请日： | 2017-11-30 |
| 公开（公告）号： | CN107993995A | 公开（公告）日： | 2018-05-04 |
| 发明（设计）人： | 马长伟;马文英;汪为民 | 申请（专利权）人： | 成都信息工程大学 |
| 主分类号： | H01L23/373 | 分类号： | H01L23/373 |
| 代理公司： | 成都九鼎天元知识产权代理有限公司51214 | 代理人： | 项霞 |
| 地址： | 610225 四川省成都市双*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种芯片降温装置，包括载板、支架、吸波结构和散热片，待散热的芯片位于载板上。支架安装在载板上，吸波结构放置于所述支架上，且位于芯片上方。所述吸波结构分为三层，从上到下分别是金属谐振单元、电介质层、金属薄膜；所述金属属薄膜的厚度大于电流密度从薄膜表面向内减小到表面电流密度为1/e的深度。所述散热片设置于吸波结构上。本发明结构简单，使用方便，安装灵活，一方面有效的简化了计算机散热装置的体积和结构，另一方面本发明是基于热辐射产生的原因出发进行设计，从原理上解决了热辐射的产生，使芯片散热更彻底。同时，本发明具有易制造、体积小、重量轻等优点。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 芯片 降温 装置 | ||
【主权项】：
一种芯片降温装置，其特征在于，包括载板、支架、吸波结构和散热片，待散热的芯片位于载板上；支架安装在载板上，吸波结构放置于所述支架上，且位于芯片上方；所述吸波结构分为三层，从上到下分别是金属薄膜、电介质层、金属谐振单元；所述金属薄膜的厚度大于电流密度从薄膜表面向内减小到表面电流密度为1/e的深度；所述散热片设置于吸波结构上。
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