[发明专利]一种基于II类超晶格的横向p‑n结红外探测器及其制作方法

摘要

一种基于II类超晶格的横向p‑n结红外探测器及其制作方法，属于半导体光电器件制备技术领域。所述的红外探测器包括衬底、缓冲层、Ⅱ类超晶格及电极层。所述方法如下将衬底放进分子束外延设备真空腔内进行处理；生长缓冲层1~2μm；在缓冲层上形成Ⅱ类超晶格；在Ⅱ类超晶格表面采用光刻胶掩膜定义p型和n型区域；向两区分别注入Be离子和Si离子到Ⅱ类超晶格中深度为500~800nm；在p型和n型区和二者中间位置溅射钛金合金，作为p型和n型接触电极及接地电极，形成横向p‑n结。本发明的优点是材料制备相对简单，无需生长掺杂超晶格结构；在器件制备方面，不需台阶刻蚀，p型和n型电极处于同一平面，简化制作工艺和电学连线。

主权项

一种基于II类超晶格的横向p‑n结红外探测器，其特征在于：所述的红外探测器自下而上包括衬底（1）、缓冲层（2）、Ⅱ类超晶格（3）；Ⅱ类超晶格（3）表面分为n型区（4）和p型区（5），在n型区（4）和p型区（5）分别通过离子注入方法注入Si和Be元素形成高掺杂导电区域，在n型区（4）表面和p型区（5）表面及两者之间的表面区域分别蒸镀钛金电极，形成n型接触电极（6）、p型接触电极（7）及接地电极（8）。