[发明专利]集成电路装置的制造方法在审
| 申请号： | 201711239960.3 | 申请日： | 2017-11-30 |
| 公开（公告）号： | CN108807269A | 公开（公告）日： | 2018-11-13 |
| 发明（设计）人： | 曾晋沅;林纬良;林立德;刘如淦;曹敏 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8234 | 分类号： | H01L21/8234 |
| 代理公司： | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 李昕巍;章侃铱 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 公开提供一种集成电路装置的制造方法，包括：形成一材料层，其具有一鳍状物结构阵列，其中至少一个鳍状物结构在一第一侧壁具有一第一材料且在上述第二侧壁的相反侧的一第二侧壁具有一第二材料，上述第一材料与上述第二材料不同。上述方法还包括使上述至少一个鳍状物结构的上述第二侧壁曝露；以及移除上述至少一个鳍状物结构。 | ||
| 搜索关键词： | 鳍状物 第二侧壁 集成电路装置 第二材料 第一材料 第一侧壁 结构阵列 材料层 相反侧 曝露 移除 制造 | ||
【主权项】：
1.一种集成电路装置的制造方法，包含：形成一材料层，其具有一鳍状物结构阵列，其中至少一个鳍状物结构在一第一侧壁具有一第一材料且在该第二侧壁的相反侧的一第二侧壁具有一第二材料，该第一材料与该第二材料不同；使该至少一个鳍状物结构的该第二侧壁曝露；以及移除该至少一个鳍状物结构。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
