[发明专利]一种存储单元及其存储阵列结构、操作方法有效
| 申请号： | 201711240646.7 | 申请日： | 2017-11-30 |
| 公开（公告）号： | CN107967929B | 公开（公告）日： | 2020-07-17 |
| 发明（设计）人： | 任永旭;顾明 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | G11C17/16 | 分类号： | G11C17/16;G11C17/18 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 智云 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种存储单元及其存储阵列结构、操作方法，所述存储单元为一种NMOS型编程选择二极管熔断电阻存储单元，其等效为一个用作编程的二极管和熔丝电阻，通过本发明，可解决现有技术中EFUSE存储单元版图面积大的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 存储 单元 及其 阵列 结构 操作方法 | ||
【主权项】：
一种存储单元，其特征在于：所述存储单元为一种NMOS型编程选择二极管熔断电阻存储单元，其等效为一个用作编程的二极管和熔丝电阻。
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