[发明专利]衬底加工方法在审
| 申请号： | 201711241016.1 | 申请日： | 2017-11-30 |
| 公开（公告）号： | CN107993936A | 公开（公告）日： | 2018-05-04 |
| 发明（设计）人： | 刘桂勇;兰立广;宋士佳 | 申请（专利权）人： | 北京创昱科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/306 | 分类号： | H01L21/306 |
| 代理公司： | 北京维澳专利代理有限公司11252 | 代理人： | 周放,姜溯洲 |
| 地址： | 102299 北京市昌平*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种衬底加工方法，其包括对经过切片所得的衬底进行磨边，以降低衬底边缘的粗糙度；使经过磨边工序后的衬底进入腐蚀工序，以去除由切片工序产生的损伤层的第一部分；对经过腐蚀工序的衬底进行抛光，以去除损伤层的第二部分。本发明提供的衬底加工方法，取消了研磨工序，在衬底依次经过切片和磨边工序后，即进入腐蚀工序，由此可以直接对由切片工序产生的损伤层进行去除，而不会产生新的损伤层，由此避免了材料的浪费，降低了衬底的生产成本，同时减少了工艺步骤，提高了生产效率。 | ||
| 搜索关键词： | 衬底 加工 方法 | ||
【主权项】：
一种衬底加工方法，其特征在于，包括如下步骤：磨边：对经过切片所得的衬底进行磨边，以降低所述衬底边缘的粗糙度；腐蚀：使经过磨边工序后的所述衬底进入腐蚀工序，以去除由切片工序产生的损伤层的第一部分；抛光：对经过腐蚀工序的所述衬底进行抛光，以去除所述损伤层的第二部分。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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