[发明专利]一种阵列基板及其制作方法和显示装置在审
申请号: | 201711242532.6 | 申请日: | 2017-11-30 |
公开(公告)号: | CN107895726A | 公开(公告)日: | 2018-04-10 |
发明(设计)人: | 晏国文 | 申请(专利权)人: | 武汉天马微电子有限公司 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H01L29/786;H01L21/77 |
代理公司: | 北京晟睿智杰知识产权代理事务所(特殊普通合伙)11603 | 代理人: | 于淼 |
地址: | 430074 湖北省武*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | 本发明公开了一种阵列基板及其制作方法和显示装置。阵列基板,包括多个薄膜晶体管,薄膜晶体管包括有源层,有源层包括主沟道区和边缘沟道区,在沿第一方向上,边缘沟道区位于主沟道区的两侧;绝缘层,设置于有源层之上,绝缘层在有源层所在平面的正投影覆盖主沟道区和边缘沟道区;栅极金属层,设置于绝缘层之上,栅极金属层包括栅极和栅极线,其中,栅极线与栅极相连接,栅极线沿第一方向延伸,栅极在有源层所在平面的正投影与主沟道区重合,沿第二方向上,栅极的宽度大于栅极线的宽度。按照本发明的技术方案,可以避免薄膜晶体管产生的驼峰效应,提升了阵列基板和显示装置性能可靠性。 | ||
搜索关键词: | 一种 阵列 及其 制作方法 显示装置 | ||
【主权项】:
一种阵列基板,其特征在于,包括多个薄膜晶体管,所述薄膜晶体管包括:有源层,所述有源层包括主沟道区和边缘沟道区,在沿第一方向上,所述边缘沟道区位于所述主沟道区的两侧;绝缘层,设置于所述有源层之上,所述绝缘层在所述有源层所在平面的正投影覆盖所述主沟道区和所述边缘沟道区;栅极金属层,设置于所述绝缘层之上,所述栅极金属层包括栅极和栅极线,其中,所述栅极线与所述栅极相连接,所述栅极线沿所述第一方向延伸,所述栅极在所述有源层所在平面的正投影与所述主沟道区重合,沿第二方向上,所述栅极的宽度大于所述栅极线的宽度,所述第一方向与所述第二方向均与所述有源层所在的平面平行,且所述第一方向与所述第二方向相交。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
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