[发明专利]避免控制栅形成中刻蚀返工导致无定型碳膜剥落的方法有效
| 申请号： | 201711242834.3 | 申请日： | 2017-11-30 |
| 公开（公告）号： | CN107993922B | 公开（公告）日： | 2020-12-01 |
| 发明（设计）人： | 徐灵芝;张志刚 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02 |
| 代理公司： | 上海申新律师事务所 31272 | 代理人： | 俞涤炯 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了避免控制栅形成中刻蚀返工导致无定型碳膜剥落的方法，包括：S1：提供一已形成单元区域和逻辑区域的晶圆；S2：在晶圆的上表面淀积具有填充能力的氧化物薄膜；S3：平整化氧化物薄膜；S4：去除单元区域的氧化物薄膜；S5：在单元区域的上表面以及逻辑区域的氧化物薄膜的上表面淀积无定形碳薄膜和介质抗反射薄膜；S6：进行单元区域的控制栅的形成；S7：去除逻辑区域的无定形碳薄膜和氧化物薄膜。本发明通过具有填充能力的氧化物填充逻辑区域的图形，能够避免无定形碳薄膜填充后造成空洞的问题，从而避免在控制栅形成的刻蚀返工工艺中出现无定形碳薄膜剥落的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 避免 控制 形成 刻蚀 返工 导致 定型 剥落 方法 | ||
【主权项】：
避免控制栅形成中刻蚀返工导致无定型碳膜剥落的方法，其特征在于，包括：步骤S1：提供一已形成单元区域和逻辑区域的晶圆；步骤S2：在所述晶圆的上表面淀积具有填充能力的氧化物薄膜；步骤S3：平整化所述氧化物薄膜；步骤S4：去除所述单元区域的所述氧化物薄膜；步骤S5：在所述单元区域的上表面以及所述逻辑区域的氧化物薄膜的上表面淀积无定形碳薄膜和介质抗反射薄膜；步骤S6：进行所述单元区域的控制栅的形成；步骤S7：去除所述逻辑区域的所述无定形碳薄膜和所述氧化物薄膜。
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H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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