[发明专利]金刚石单晶生长装置及方法在审
| 申请号： | 201711243374.6 | 申请日： | 2017-11-30 |
| 公开（公告）号： | CN107955967A | 公开（公告）日： | 2018-04-24 |
| 发明（设计）人： | 刘晓晨;姜龙;郭辉;何奇宇 | 申请（专利权）人： | 河北普莱斯曼金刚石科技有限公司 |
| 主分类号： | C30B29/04 | 分类号： | C30B29/04;C30B25/00 |
| 代理公司： | 石家庄国为知识产权事务所13120 | 代理人： | 郝伟 |
| 地址： | 050081 河*** | 国省代码： | 河北;13 |
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| 摘要： | 本发明涉及晶体合成技术领域，提供了一种金刚石单晶生长装置及方法。所述装置包括沉积台和可升降中心柱；所述沉积台上设有沉积台孔，所述可升降中心柱上设有与所述沉积台孔配合的孔柱，所述孔柱设置在所述沉积台孔中。所述装置及方法能够有效地提高金刚石单晶生长质量，解决一次生长不了太厚的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 金刚石 生长 装置 方法 | ||
【主权项】：
一种金刚石单晶生长装置，其特征在于，包括：沉积台和可升降中心柱；所述沉积台上设有沉积台孔，所述可升降中心柱上设有与所述沉积台孔配合的孔柱，所述孔柱设置在所述沉积台孔中。
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