[发明专利]蚀刻阻挡层结构、含其的外延片及该外延片的制作方法有效
| 申请号： | 201711243780.2 | 申请日： | 2017-11-30 |
| 公开（公告）号： | CN108023001B | 公开（公告）日： | 2020-03-10 |
| 发明（设计）人： | 周圣军;胡红坡;高艺霖 | 申请（专利权）人： | 武汉大学 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 武汉科皓知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 42222 | 代理人： | 张火春 |
| 地址： | 430072 湖*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明提供蚀刻阻挡层结构、含其的外延片及该外延片的制作方法，蚀刻阻挡层结构由第一极性反转层、沉积在第一极性反转层上表面的第二半导体层及沉积在所述第二半导体层上表面的第二极性反转层组成。外延片由沉积在图形化衬底上的牺牲层，所述蚀刻阻挡层结构及半导体器件结构组成。在外延片湿法剥离时，所述蚀刻阻挡层结构能够很好的同时保护半导体器件结构免受剥离液的损伤，实用性强。 | ||
| 搜索关键词： | 蚀刻 阻挡 结构 外延 制作方法 | ||
【主权项】：
1.一种蚀刻阻挡层结构，其特征在于，其由第一极性反转层、沉积在第一极性反转层上表面的第二半导体层及沉积在所述第二半导体层上表面的第二极性反转层组成。
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