[发明专利]离子植入机以及将离子植入半导体衬底中的方法有效

专利信息
申请号: 201711244023.7 申请日: 2017-11-30
公开(公告)号: CN108231514B 公开(公告)日: 2021-12-03
发明(设计)人: 林琮闵;简芳记;周宏昕;石兆立;李明星 申请(专利权)人: 台湾积体电路制造股份有限公司
主分类号: H01J37/317 分类号: H01J37/317;H01J37/08
代理公司: 南京正联知识产权代理有限公司 32243 代理人: 顾伯兴
地址: 中国台湾新竹科*** 国省代码: 台湾;71
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 一种离子植入机包括离解腔室,所述离解腔室位于所述离子植入机中。所述离解腔室具有用于接收气体的输入口及用于输出离子的输出口。真空腔室环绕所述离解腔室。多个磁性材料棒或板在所述离解腔室的至少两个侧上与所述离解腔室相邻。磁体磁性耦合至所述多个磁性材料棒或板。微波源被提供用于向所述离解腔室供应微波,以在所述离解腔室中引起电子回旋共振来将所述气体电离。本发明实施例的离子植入机可提高离子植入机的寿命及降低离子植入机的维护成本。
搜索关键词: 离子 植入 以及 半导体 衬底 中的 方法
【主权项】:
1.一种离子植入机,其特征在于,包括:离解腔室,位于所述离子植入机中,所述离解腔室具有用于接收气体的输入口及用于输出离子的输出口;真空腔室,环绕所述离解腔室;多个磁性材料棒或板,在所述离解腔室的至少两个侧上与所述离解腔室相邻;磁体,磁性耦合至所述多个磁性材料棒或板;以及微波源,用于对所述离解腔室供应微波,以在所述离解腔室中引起电子回旋共振来将所述气体电离。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于台湾积体电路制造股份有限公司,未经台湾积体电路制造股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201711244023.7/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top