[发明专利]光电探测器与其制作方法

摘要

本申请提供了一种光电探测器与其制作方法。该光电探测器包括：衬底；第一半导体层，设置在衬底的部分表面上，第一半导体层与衬底之间具有微腔，和/或相邻的第一半导体层之间具有微腔；多个介电层，一个介电层设置在第一顶半导体层的远离衬底的表面上以及第一半导体层两侧的衬底的表面上，其他的介电层设置在微腔中且位于衬底的表面上，和/或其他的介电层设置在微腔中且位于第一半导体层的表面上；多个第二半导体层，一一对应地设置在介电层的远离第一半导体层或远离衬底的表面上，第二半导体层为二维半导体材料层；第一电极，设置在衬底的表面上；两个第二电极，设置在第二顶半导体层的远离介电层的表面上。该光电探测器的响应度较大。

主权项

1.一种光电探测器，其特征在于，所述光电探测器包括：衬底(2)；至少一个第一半导体层(3)，设置在所述衬底(2)的部分表面上，未设置有所述第一半导体层(3)的所述衬底(2)的表面位于所述第一半导体层(3)的两侧，所述第一半导体层(3)与所述衬底(2)之间具有微腔(8)，和/或相邻的所述第一半导体层(3)之间具有微腔(8)，与所述衬底(2)距离最大的所述第一半导体层(3)为第一顶半导体层(31)；多个介电层(4)，其中，一个所述介电层(4)设置在所述第一顶半导体层(31)的远离所述衬底(2)的表面上以及所述第一半导体层(3)两侧的所述衬底(2)的表面上，其他的所述介电层(4)设置在所述微腔(8)中且位于所述衬底(2)的表面上，和/或其他的所述介电层(4)设置在所述微腔(8)中且位于所述第一半导体层(3)的表面上；多个第二半导体层(5)，一一对应地设置在所述介电层(4)的远离所述第一半导体层(3)或远离所述衬底(2)的表面上，多个所述第二半导体层(5)中，与所述衬底(2)距离最大的所述第二半导体层(5)为第二顶半导体层(51)，所述第二半导体层(5)为二维半导体材料层；第一电极(1)，设置在所述衬底(2)的远离所述第一半导体层(3)的表面上；以及两个第二电极(7)，均设置在所述第二顶半导体层(51)的远离所述介电层(4)的表面上且相互间隔设置。