[发明专利]监控3D栅极氧化层工艺的方法及结构

摘要

本发明提供一种监控3D栅极氧化层工艺的方法及结构，该结构分别包括一对用于监控3D栅极氧化层侧壁、底面、转角的第一监控结构、第二监控结构和第三监控结构中的一种以上。该方法包括监控3D栅极氧化层的侧壁工艺的步骤、监控3D栅极氧化层的底面工艺的步骤和监控3D栅极氧化层的转角工艺的步骤中的一种以上。通过比较两组电学性能参数，当两组测试结果出现变化、且其差值超过限定的固定偏差范围时，判定3D栅极氧化层的侧壁、底面或转角工艺为工艺薄弱点，否则判定3D栅极氧化层的工艺为合格。本发明不仅实现了在线监控，而且还节约了切片分析的工程成本和时间，缩短了开发周期，具有即时监测、即时判断的效果。

主权项

1.一种监控3D栅极氧化层工艺的方法，其特征在于，包括监控3D栅极氧化层的侧壁工艺的步骤、监控3D栅极氧化层的底面工艺的步骤和监控3D栅极氧化层的转角工艺的步骤中的一种或者一种以上；其中，监控3D栅极氧化层的侧壁工艺的步骤，采用一对用于监控3D栅极氧化层侧壁的第一监控结构，分别记作第一监控结构A和第一监控结构B，测试第一监控结构A和第一监控结构B中至少一个相同的电学性能参数，比较第一监控结构A和第一监控结构B中某一个相同的电学性能参数，当第一监控结构A和第一监控结构B相同的电学性能参数的测试结果出现变化时、且其差值超过限定的固定偏差范围时，判定3D栅极氧化层的侧壁工艺为工艺薄弱点，否则判定3D栅极氧化层的侧壁工艺为合格；监控3D栅极氧化层的底面工艺的步骤，采用一对用于监控3D栅极氧化层底面的第二监控结构，分别记作第二监控结构C和第二监控结构D，测试第二监控结构C和第二监控结构D中至少一个相同的电学性能参数，比较第二监控结构C和第二监控结构D中某一个相同的电学性能参数，当第二监控结构C和第二监控结构D相同的电学性能参数的测试结果出现变化时、且其差值超过限定的固定偏差范围时，判定3D栅极氧化层的底面工艺为工艺薄弱点，否则判定3D栅极氧化层的底面工艺为合格；监控3D栅极氧化层的转角工艺的步骤，采用一对用于监控3D栅极氧化层转角的第三监控结构，分别记作第三监控结构E和第三监控结构F，测试第三监控结构E和第三监控结构F中至少一个相同的电学性能参数，比较第三监控结构E和第三监控结构F中某一个相同的电学性能参数，当第三监控结构E和第三监控结构F相同的电学性能参数的测试结果出现变化时、且其差值超过限定的固定偏差范围时，判定3D栅极氧化层的转角工艺为工艺薄弱点，否则判定3D栅极氧化层的转角工艺为合格。