[发明专利]应变GeCMOS器件及其制备方法在审
| 申请号： | 201711244543.8 | 申请日： | 2017-11-30 |
| 公开（公告）号： | CN107968043A | 公开（公告）日： | 2018-04-27 |
| 发明（设计）人： | 左瑜 | 申请（专利权）人： | 西安科锐盛创新科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/8238;H01L27/092;H01L29/161 |
| 代理公司： | 西安嘉思特知识产权代理事务所(普通合伙)61230 | 代理人： | 黄晶晶 |
| 地址： | 710065 陕西省西安市高新区高新路86号*** | 国省代码： | 陕西;61 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一种应变GeCMOS器件及其制备方法，方法包括如下步骤S001、选取单晶Si作为衬底；S002、在Si衬底上形成Si1‑xGex虚衬底；S003、在所述Si1‑xGex虚衬底上形成沟道层；S004、在所述沟道层上生成隔离区；S005、在所述隔离区的第一侧形成N肼和PMOS，在所述隔离区的第二侧形成NMOS；S006、制备金属电极以完成所述CMOS器件的制备。本发明提供的方法可以制备高质量的GeCMOS器件。 | ||
| 搜索关键词： | 应变 gecmos 器件 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种应变GeCMOS器件制备方法，其特征在于，包括如下步骤：S001、选取单晶Si作为衬底；S002、在Si衬底上形成Si1‑xGex虚衬底；S003、在所述Si1‑xGex虚衬底上形成沟道层；S004、在所述沟道层上生成隔离区；S005、在所述隔离区的第一侧形成N肼和PMOS，在所述隔离区的第二侧形成NMOS；S006、制备金属电极以完成所述CMOS器件的制备。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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