[发明专利]PMOS器件及其制备方法及计算机在审
| 申请号： | 201711244556.5 | 申请日： | 2017-11-30 |
| 公开（公告）号： | CN108022844A | 公开（公告）日： | 2018-05-11 |
| 发明（设计）人： | 左瑜 | 申请（专利权）人： | 西安科锐盛创新科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L29/78;H01L29/10 |
| 代理公司： | 西安嘉思特知识产权代理事务所(普通合伙) 61230 | 代理人： | 黄晶晶 |
| 地址： | 710065 陕西省西安市高新区高新路86号*** | 国省代码： | 陕西;61 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一种PMOS器件的制备方法，该制备方法包括：(a)选取Si衬底；(b)在所述Si衬底上制作晶化SiGe层；(c)在所述晶化SiGe层上制作N型应变Ge层；(d)在所述N型应变Ge层表面的第一指定区域制作栅极；(e)在所述应变Ge层的第二指定区域与第三指定区域分别制作源区与漏区；(f)在所述源区与所示漏区表面分别制作源区电极与漏区电极。本发明通过激光再晶化工艺，使外延层发生固相‑液相‑固相的两次相变，通过横向释放高Ge组分SiGe与Si之间的失配位错，可极大提升高Ge组分SiGe/Si外延层的晶体质量，为后续应变锗的生长提供了重要前提；利用上述应变锗制备的PMOS迁移率比传统PMOS高，器件工作速度快，性能提高。 | ||
| 搜索关键词： | pmos 器件 及其 制备 方法 计算机 | ||
【主权项】：
1.一种PMOS器件的制备方法，其特征在于，包括：(a)选取Si衬底；(b)在所述Si衬底上制作晶化SiGe层；(c)在所述晶化SiGe层上制作N型应变Ge层；(d)在所述N型应变Ge层表面的第一指定区域制作栅极；(e)在所述N型应变Ge层的第二指定区域与第三指定区域分别制作源区与漏区；(f)在所述源区与所示漏区表面分别制作源区电极与漏区电极。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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