[发明专利]一种含硼氮键的苝酰亚胺类光电小分子材料及其制备方法与应用

摘要

本发明公开了一种含硼氮键的苝酰亚胺类光电小分子材料及其制备方法与应用。本发明的含硼氮键的苝酰亚胺类光电小分子材料的LUMO能级为‑3.75V，对太阳光谱有较宽的吸收，硼氮键的引入使材料具有双极型的特性，同时材料还具有较好的电子迁移率和空穴迁移率，使材料具有良好的光电性能，能够作为发光层或活性层，在有机发光二极管、有机场效应管和有机太阳能电池中具有广阔的应用前景。本发明制备含硼氮键的苝酰亚胺类光电小分子材料的合成方法简便，工艺流程短，有利于工业化生产。

主权项

一种含硼氮键的苝酰亚胺类光电小分子材料，其特征在于，化学结构式如下所示：式中，R1、R2、R3为氢原子，或者为碳原子数1～24的直链、支链或环状烷基链，或者为其中一个以上碳原子被氧原子、烯基、炔基、芳基、羟基、氨基、羰基、羧基、酯基、氰基或硝基取代的碳原子数1～24的直链、支链或环状烷基链，或者为其中一个以上氢原子被卤素原子、氧原子、烯基、炔基、芳基、羟基、氨基、羰基、羧基、氨基正离子、酯基、氰基或硝基取代的碳原子数1～24的直链、支链或环状烷基链；Ar为以下结构中的一种以上：其中，R为氢原子，或为碳原子数1～24的直链、支链或环状烷基链，或为一个以上碳原子被氧原子、烯基、炔基、芳基、羟基、氨基、羰基、羧基、硝基、苯基或噻吩基取代的碳原子数1～24的直链、支链或环状烷基链，或为一个以上氢原子被卤素原子取代的碳原子数1～24的直链、支链或环状烷基链。