[发明专利]干涉仪气浴装置及光刻机有效
| 申请号： | 201711244875.6 | 申请日： | 2017-11-30 |
| 公开（公告）号： | CN109856918B | 公开（公告）日： | 2021-01-29 |
| 发明（设计）人： | 郎东春 | 申请（专利权）人： | 上海微电子装备（集团）股份有限公司 |
| 主分类号： | G03F7/20 | 分类号： | G03F7/20 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 屈蘅;李时云 |
| 地址： | 201203 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种干涉仪气浴装置，包括：稳压控温单元和气体导向单元，所述稳压控温单元包括静压腔和多级孔板组件，气流经所述静压腔初步稳压后流入多级孔板组件进行深度稳压及均化分布，再经所述气体导向单元流出。本发明提供了一种干涉仪气浴装置及光刻机，利用多级孔板组件深度稳压并均化气流分布，减小静压腔厚度进而减小气浴装置整体尺寸，并且气浴导向格栅与光路平行布置，在光路全程上气浴不分段，解决了现有干涉仪气浴装置厚度大、气浴不均匀的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 干涉仪 装置 光刻 | ||
【主权项】：
1.一种干涉仪气浴装置，其特征在于，包括：稳压控温单元和气体导向单元，所述稳压控温单元包括静压腔和多级孔板组件，气流经所述静压腔初步稳压后流入所述多级孔板组件进行深度稳压及均化分布，再经所述气体导向单元流出。
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