[发明专利]一种原位生长SiC纳米线增强SiC陶瓷基复合材料及其制备方法在审
| 申请号： | 201711246466.X | 申请日： | 2017-12-01 |
| 公开（公告）号： | CN107903067A | 公开（公告）日： | 2018-04-13 |
| 发明（设计）人： | 陈照峰;廖家豪 | 申请（专利权）人： | 苏州宏久航空防热材料科技有限公司 |
| 主分类号： | C04B35/571 | 分类号： | C04B35/571;C04B35/622;C04B35/628;C04B35/80 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 215400 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一种原位生长SiC纳米线增强SiC陶瓷基复合材料，由增强纤维，SiC纳米线，界面层和SiC基体组成；其特征在于SiC纳米线原位生长在增强纤维上，界面层包覆在增强纤维和SiC纳米线表面，SiC基体填充在增强纤维和SiC纳米线围成的间隙中；所述的增强纤维为C纤维或SiC纤维；所述的SiC纳米线直径为50~200nm，长度为0.5~3mm；所述的界面层为PyC或BN，厚度为0.02~0.1μm。本发明有效地解决了SiC纳米线在纤维预制体内较难均匀分布的问题，同时通过原位生长SiC纳米线充分发挥了SiC纳米线对SiC陶瓷基复合材料的优势等。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 原位 生长 sic 纳米 增强 陶瓷 复合材料 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种原位生长SiC纳米线增强SiC陶瓷基复合材料，由增强纤维，SiC纳米线，界面层和SiC基体组成；其特征在于SiC纳米线原位生长在增强纤维上，界面层包覆在增强纤维和SiC纳米线表面，SiC基体填充在增强纤维和SiC纳米线围成的间隙中；所述的增强纤维为C纤维或SiC纤维；所述的SiC纳米线直径为50~200nm，长度为0.5~3mm；所述的界面层为PyC或BN，厚度为0.02~0.1μm。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于苏州宏久航空防热材料科技有限公司，未经苏州宏久航空防热材料科技有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201711246466.X/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种铋硫基超导体及其制备方法
- 下一篇：减小大尺寸反应烧结碳化硅内应力的工艺
