[发明专利]波导耦合型单行载流子探测器

摘要

本发明为波导耦合型单行载流子探测器，包括p+欧姆接触电极(101)、p型阶梯状梯度掺杂分布的吸收区(102)、本征区(103)、n+欧姆接触区(104)、n+欧姆接触电极(105)、绝缘掩埋层(106)、衬底层(107)和单模入射波导(108)，p型阶梯状梯度掺杂分布的吸收区(102)，吸收区(102)的截面为矩形，所述吸收区(102)位于本征区(103)顶部，本征区(103)位于所述单模入射波导(108)的末端，本征区(103)的宽度与所述单模入射波导(108)相同；单模入射波导(108)、n+欧姆接触区(104)和所述本征区(103)共平面；仅在本征区(103)的一侧布置所述n+欧姆接触区(104)。本发明能够对高强度通信光信号进行探测且具有良好线性度的波导单行载流子二极管。

主权项

1.一种波导耦合型单行载流子探测器结构，其特征在于，包括p+欧姆接触电极(101)、p型阶梯状梯度掺杂分布的吸收区(102)、本征区(103)、n+欧姆接触区(104)、n+欧姆接触电极(105)、绝缘掩埋层(106)、衬底层(107)和单模入射波导(108)，所述p型阶梯状梯度掺杂分布的吸收区(102)，所述吸收区(102)上表面掺杂浓度是能与所述金属电极(101)形成欧姆接触的重掺杂浓度，重掺杂浓度在5×1018～1×1020cm-3选取；所述吸收区(102)下表面处的掺杂浓度在5×1016～1×1017cm-3之间选取，在所述吸收区(102)内从上至下浓度为阶梯状下降，下降阶梯的阶梯个数纵向选取2～50点，点所在界面纵向两侧的掺杂浓度差>10％，所述吸收区(102)的截面为矩形，所述吸收区(102)位于所述本征区(103)顶部，同时，所述本征区(103)位于所述单模入射波导(108)的末端，所述本征区(103)的宽度与所述单模入射波导(108)相同；所述单模入射波导(108)、所述n+欧姆接触区(104)和所述本征区(103)共平面，且位于同一材料层，厚度也均相同；仅在所述本征区(103)的一侧布置所述n+欧姆接触区(104)。