[发明专利]具有气隙间隔物的半导体器件及制造其的方法

摘要

一种制造半导体器件的方法包括：提供包括单元区和外围电路区的衬底，单元区包括位线结构、位线间隔物和下电极，外围电路区包括第一杂质区至第三杂质区；在外围电路区上形成层间绝缘膜；在层间绝缘膜上形成第一金属层；在第一杂质区与第二杂质区之间在第一金属层中形成第一沟槽和第二沟槽，第二沟槽设置在第二杂质区与第三杂质区之间并暴露层间绝缘膜；在第一沟槽上形成第一盖图案以在第一沟槽中形成气隙；用第一绝缘材料填充第二沟槽；以及在第一金属层上形成连接到第三杂质区的接触。

主权项

一种制造半导体器件的方法，包括：提供包括单元区和外围电路区的衬底，其中所述单元区包括位线结构、形成在所述位线结构的两个侧壁上的位线间隔物、以及形成在所述位线结构上的下电极，其中所述外围电路区至少部分地沿着所述单元区的边界设置，以及其中所述外围电路区包括第一杂质区、第二杂质区和第三杂质区；在所述衬底的所述外围电路区上形成层间绝缘膜；在所述层间绝缘膜上形成第一金属层，其中所述第一金属层连接到所述第一杂质区、所述第二杂质区和所述第三杂质区；在所述第一金属层中形成第一沟槽和第二沟槽，其中所述第一沟槽设置在所述第一杂质区与所述第二杂质区之间并暴露所述层间绝缘膜，所述第二沟槽设置在所述第二杂质区与所述第三杂质区之间并暴露所述层间绝缘膜；在所述第一沟槽上形成第一盖图案，其中所述第一盖图案与所述第一沟槽的底表面间隔开，在所述第一沟槽中形成第一气隙；用第一绝缘材料填充所述第二沟槽，使所述第二杂质区和所述第三杂质区绝缘；以及在所述第一金属层上形成连接到所述第三杂质区的接触，其中所述接触形成在所述第二沟槽的第一侧，以及其中所述第一沟槽形成在所述第二沟槽的第二侧，所述第二沟槽的所述第一侧和所述第二侧彼此相反。