[发明专利]具有电阻变化材料的存储器件和该存储器件的操作方法有效
| 申请号： | 201711247786.7 | 申请日： | 2017-11-30 |
| 公开（公告）号： | CN108281167B | 公开（公告）日： | 2022-11-04 |
| 发明（设计）人： | 林菜昱;朴贤国;鲜于桢;吴荣训;李墉焌 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | G11C13/00 | 分类号： | G11C13/00 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 周祺 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 提供了具有电阻变化材料的存储器件和该存储器件的操作方法。存储器件包括：存储器单元阵列，包括根据电阻的变化存储不同的数据的第一电阻式存储器单元和第二电阻式存储器单元；缓冲器，包括分别与第一电阻式存储器单元和第二电阻式存储器单元相对应的第一存储区域和第二存储区域；以及控制电路，接收要编程到存储器单元阵列的程序数据，比较存储在第一存储区域中的第一数据和存储在第一电阻式存储器单元中的第二数据，并且作为比较的结果，确定第一存储区域和第二存储区域中的一个作为程序数据要被写入到的存储区域。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 电阻 变化 材料 存储 器件 操作方法 | ||
【主权项】：
1.一种存储器件，所述存储器件包括：存储器单元阵列，至少包括第一电阻式存储器单元和第二电阻式存储器单元，其中所述第一电阻式存储器单元和所述第二电阻式存储器单元各自包括电阻变化材料，并且各自被配置为根据电阻的值存储不同的数据；缓冲器，包括分别与所述第一电阻式存储器单元和所述第二电阻式存储器单元相对应的第一存储区域和第二存储区域；以及控制电路，被配置为接收要编程到所述存储器单元阵列的程序数据，比较存储在所述第一存储区域中的第一数据和存储在所述第一电阻式存储器单元中的第二数据，并且响应于比较所述第一数据和所述第二数据，确定所述第一存储区域和所述第二存储区域中的一个作为所述程序数据要被写入到的选定存储区域。
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