[发明专利]TFT基板制作方法有效
| 申请号： | 201711247891.0 | 申请日： | 2017-11-30 |
| 公开（公告）号： | CN108010923B | 公开（公告）日： | 2020-01-03 |
| 发明（设计）人： | 江志雄 | 申请（专利权）人： | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/12 | 分类号： | H01L27/12 |
| 代理公司： | 44202 广州三环专利商标代理有限公司 | 代理人： | 郝传鑫;熊永强 |
| 地址： | 518132 广东省深*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了一种TFT基板制作方法，包括以下的步骤：提供基板；在所述基板上依次成型保护层、铝薄膜及光阻层；图案化所述光阻层和所述铝薄膜；蚀刻所述保护层，所述保护层的边缘相对于所述铝薄膜的边缘内缩，以在所述铝薄膜和所述基板之间形成凹槽；在所述基板上沉积功能膜层，所述功能膜层包括位于所述光阻层上的第一功能膜层和位于所述基板表面的第二功能膜层，所述铝薄膜与所述第二功能膜层之间构成所述凹槽的开口；将所述铝薄膜和所述光阻层设于剥离液中，所述剥离液通过所述凹槽的开口填充所述凹槽，并与所述铝薄膜反应，以使所述铝薄膜和所述光阻层脱离所述保护层。本发明能够提高显示面板的生产效率。 | ||
| 搜索关键词： | tft 制作方法 | ||
【主权项】：
1.一种TFT基板制作方法，其特征在于，包括以下的步骤：/n提供基板；/n在所述基板上依次成型保护层、铝薄膜及光阻层；/n图案化所述光阻层和所述铝薄膜；/n蚀刻所述保护层，所述保护层的边缘相对于所述铝薄膜的边缘内缩，以在所述铝薄膜和所述基板之间形成凹槽；/n在所述基板上沉积功能膜层，所述功能膜层包括位于所述光阻层上的第一功能膜层和位于所述基板表面的第二功能膜层，所述铝薄膜与所述第二功能膜层之间构成所述凹槽的开口；/n将所述铝薄膜和所述光阻层设于剥离液中，所述剥离液通过所述凹槽的开口填充所述凹槽，并与所述铝薄膜反应，以使所述铝薄膜和所述光阻层脱离所述保护层。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
