[发明专利]存储器元件及其制作方法

摘要

本发明公开了一种存储器元件及其制作方法，包括半导体基材、底部绝缘层、第一导电层、多个第二导电层、接触插塞、通道层以及存储层。底部绝缘层位于半导体基材上。第一导电层是一选择性外延生长层，位于底部绝缘层之上。多个绝缘层位于底部绝缘层之上。多个第二导电层与绝缘层交错叠层，且和第一导电层电性隔离。接触插塞穿过底部绝缘层并与半导体基材和第一导电层电性接触。通道层位于第一贯穿开口的至少一个侧壁上，并与接触插塞电性接触，其中第一贯穿开口穿过绝缘层和第二导电层，而将接触插塞暴露于外。存储层位于通道层与第二导电层之间。

主权项

1.一种存储器元件，包括：一半导体基材；一底部绝缘层，位于该半导体基材上；一第一导电层，位于该底部绝缘层上，其中该第一导电层是一选择性外延生长层；多个绝缘层，位于该第一导电层之上；多个第二导电层，与这些绝缘层交错叠层，且和该第一导电层电性隔离；一接触插塞，穿过该底部绝缘层且与该第一导电层和该半导体基材电性接触；一通道层，位于一第一贯穿开口的至少一侧壁上，并与该接触插塞电性接触，其中该第一贯穿开口穿过这些绝缘层和这些第二导电层，而将该接触插塞暴露于外；以及一存储层，位于该通道层与这些第二导电层之间。