[发明专利]制造相变化记忆体的方法有效
| 申请号： | 201711248713.X | 申请日： | 2015-09-09 |
| 公开（公告）号： | CN107845726B | 公开（公告）日： | 2020-09-11 |
| 发明（设计）人： | 陶义方 | 申请（专利权）人： | 江苏时代全芯存储科技股份有限公司;英属维京群岛商时代全芯科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人： | 徐金国 |
| 地址： | 223300 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 一种制造相变化记忆体的方法，包含：(i)在半导体基材上形成介电层以及贯穿介电层的导电接触结构；(ii)移除导电接触结构的一部分，以在介电层中形成第一凹口，其中导电接触结构的剩余部分构成第一凹口的底部；(iii)形成第一电极于第一凹口内，其中第一电极位于导电接触结构的剩余部分上，第一凹口的剩余空间定义出第二凹口；(iv)在第二凹口中形成加热元件以及填充结构，其中加热元件从第一电极向上延伸，且加热元件的顶部露出填充结构；以及(v)在加热元件以及填充结构上形成相变化元件以及第二电极。 | ||
| 搜索关键词： | 制造 相变 记忆体 方法 | ||
【主权项】：
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