[发明专利]一种硅—Spiro-OMeTAD异质结光伏电池及其制备方法

摘要

本发明涉及一种硅—Spiro‑OMeTAD异质结光伏电池及其制备方法。该硅—Spiro‑OMeTAD异质结光伏电池的制备方法包括：n型硅基底的清洗；n型硅基底的表面甲基化处理；Spiro‑OMeTAD层的制备；Spiro‑OMeTAD/PEDOT:PSS复合层的制备；PEDOT:PSS层的制备；正面电极的制备；背面电极的制备，其中所述Spiro‑OMeTAD层和所述Spiro‑OMeTAD/PEDOT:PSS复合层中均含有二硒化锆纳米片和二硒化钽纳米片。该硅—Spiro‑OMeTAD异质结光伏电池中各层之间的协同作用使得其具有优异的光电转换效率。

主权项

1.一种硅—Spiro-OMeTAD异质结光伏电池的制备方法，其特征在于：包括以下步骤：(1)n型硅基底的清洗；(2)n型硅基底的表面钝化处理；(3)Spiro-OMeTAD层的制备：在步骤(2)得到的n型硅基底的正面旋涂含有二硒化锆纳米片、二硒化钽纳米片以及Spiro-OMeTAD的混合溶液，旋涂的转速为2000-3000转/分钟，然后进行退火处理，形成所述Spiro-OMeTAD层；(4)Spiro-OMeTAD/PEDOT:PSS复合层的制备：在所述Spiro-OMeTAD层表面依次旋涂含有二硒化锆纳米片、二硒化钽纳米片以及Spiro-OMeTAD的混合溶液以及PEDOT:PSS溶液，旋涂的速度均为3500-4000转/分钟，然后进行退火处理，形成所述Spiro-OMeTAD/PEDOT:PSS复合层；(5)PEDOT:PSS层的制备：在所述Spiro-OMeTAD/PEDOT:PSS复合层表面旋涂PEDOT：PSS溶液，旋涂的速度为2000-2500转/分钟，然后进行退火处理，形成所述PEDOT:PSS层；(6)正面电极的制备；(7)背面电极的制备；其中所述步骤(3)和(4)中的所述混合溶液中二硒化锆纳米片的浓度为0.1-0.5mg/ml，二硒化钽纳米片纳米片的浓度为0.1-0.5mg/ml，Spiro-OMeTAD的浓度为10-15mg/ml，所述步骤(4)和(5)中的所述PEDOT:PSS溶液中PEDOT:PSS的浓度为8-12mg/ml。