[发明专利]一种通过压电波形调控TFT阵列源漏电极薄膜质量的方法

摘要

本发明属于显示器件技术领域，公开了一种通过压电波形调控TFT阵列源漏电极薄膜质量的方法。在干净的玻璃基板表面依次制备Al掺杂Nd薄膜、Al2O3绝缘层和a‑IGZO薄膜，得到打印基板；将所得打印基板置于喷墨打印机中，以导电银墨水进行喷墨打印制备源漏电极，所用喷墨压电波形经历四个波段的电压变化，加压速率为0.5V/μs，四个波段持续时间分别为6.52μs、6.15μs、6.78μs、1.67μs，打印完成后得到TFT阵列源漏电极。本发明通过调节压电波形消除喷墨打印源漏电极薄膜的卫星点，具有处理工艺简单，操作时间短，处理效率高，成本低的优点。 1

主权项

1.一种通过压电波形调控TFT阵列源漏电极薄膜质量的方法，其特征在于包括如下步骤：

(1)在干净的玻璃基板表面沉积一层图形化的Al掺杂Nd薄膜，然后通过阳极氧化形成一层Al₂O₃绝缘层，清洗干燥后用射频磁控溅射在绝缘层上沉积a‑IGZO薄膜，然后在空气中450℃热退火1h，得到打印基板；

(2)将步骤(1)所得打印基板置于喷墨打印机中，以导电银墨水进行喷墨打印制备源漏电极，喷墨打印参数设置为：基板温度60℃，喷头温度50℃，墨滴间距25μm，喷墨速度为5m/s；所用喷墨压电波形经历四个波段的电压变化，第一波段以起始电压10V以0.5V/μs的加压速率减小至5V，第一波段持续时间为6.52μs；第二波段以起始电压5V以0.5V/μs的加压速率上升至30V；第二波段持续时间6.15μs；第三波段以起始电压30V以0.5V/μs的加压速率减小至20V，第三波段的持续时间为6.78μs；第四波段以起始电压20V以0.5V/μs的加压速率减小至10V，第四波段持续时间1.67μs；打印完成后得到TFT阵列源漏电极薄膜。

2.根据权利要求1所述的一种通过压电波形调控TFT阵列源漏电极薄膜质量的方法，其特征在于：步骤(1)中所述Al掺杂Nd薄膜的厚度为300nm，所述Al₂O₃绝缘层的厚度为200nm，所述a‑IGZO薄膜的厚度为25nm。

3.根据权利要求1所述的一种通过压电波形调控TFT阵列源漏电极薄膜质量的方法，其特征在于：步骤(1)中所述清洗干燥是指置于去离子水和异丙醇中，分别清洗10min，然后放入烘干箱烘干。

4.根据权利要求1所述的一种通过压电波形调控TFT阵列源漏电极薄膜质量的方法，其特征在于：步骤(2)中所述导电银墨水指标参数为：固含量：15％，粘度：9～15cps，表面张力：30～32dynes/cm，溶剂：乙醇，烧结温度：130～150℃，电阻率：4.2μΩ·cm。