[发明专利]一种多值阻变型非易失性存储器及其操作方法

摘要

本发明公开了一种多值阻变型非易失性存储器及其操作方法，该多值阻变型非易失性存储器包括由底栅、栅氧化层、源极以及漏极与半导体层构成的底栅底接触式薄膜晶体管以及顶栅与源极和漏极的交叠部分构成的阻变型存储器；其中半导体层上方设置顶栅，下方两侧分别设置有源极和漏极，半导体层位于源极和漏极之间的部分称为沟道，沟道底部与栅氧化层接触，栅氧化层下方设置有底栅。本发明提供的多值阻变型非易失性存储器相较于传统的阻变型存储器而言具有结构紧凑，单元尺寸较小、存储密度高等优点。基于本发明的多值阻变型存储器的操作方法能够有效地进行多值存储。

主权项

一种多值阻变型非易失性存储器，包括底栅底接触式薄膜晶体管和阻变型存储器，所述阻变型存储器包括顶栅(16)、半导体层(15)、源极(13)和漏极(14)，所述顶栅(16)设置在半导体层(15)上，半导体层(15)下方凸起部分为沟道(151)，沟道(151)两侧分别设置有源极(13)和漏极(14)，其特征在于：所述顶栅(16)与源极(13)和漏极(14)有交叠；所述底栅底接触式薄膜晶体管包括半导体层(15)、栅氧化层(12)、底栅(11)、源极(13)以及漏极(14)，底栅(11)设置于栅氧化层(12)下方，底栅(11)同时与源极(13)和漏极(14)相交叠或边缘对齐，栅氧化层(12)上方与半导体层(15)下方的沟道(151)和源极(13)以及漏极(14)的下表面接触。