[发明专利]一种阻变型非易失性存储器及其操作方法有效
| 申请号： | 201711249419.0 | 申请日： | 2017-12-01 |
| 公开（公告）号： | CN108091656B | 公开（公告）日： | 2020-11-20 |
| 发明（设计）人： | 黄晓东;李帆;黄见秋 | 申请（专利权）人： | 东南大学 |
| 主分类号： | H01L27/115 | 分类号： | H01L27/115;G11C16/02 |
| 代理公司： | 南京苏高专利商标事务所(普通合伙) 32204 | 代理人： | 柏尚春 |
| 地址： | 211189 *** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种阻变型非易失性存储器及其操作方法，该阻变型非易失性存储器包括由底栅、栅氧化层、源极以及漏极与半导体层构成的底栅底接触式薄膜晶体管以及顶栅与源极或者漏极的交叠部分构成的一阻变型存储器；其中半导体层上方设置顶栅，下方两侧分别设置有源极和漏极，半导体层位于源极和漏极之间的部分称为沟道，沟道底部与栅氧化层接触，栅氧化层下方设置有底栅。本发明提供的半导体阻变型存储器相较于传统的阻变型存储器而言具有结构紧凑，单元尺寸较小等优点。基于本发明的阻变型存储器的操作方法能够有效地进行存储。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 变型 非易失性存储器 及其 操作方法 | ||
【主权项】：
1.一种阻变型非易失性存储器，包括底栅底接触式薄膜晶体管和阻变型存储器，所述阻变型存储器包括顶栅(16)、半导体层(15)、源极(13)和漏极(14)，所述顶栅(16)设置在半导体层(15)上，半导体层(15)下方凸起部分为沟道(151)，沟道(151)两侧分别设置有源极(13)和漏极(14)，其特征在于：所述顶栅(16)与源极(13)或漏极(14)有交叠；所述底栅底接触式薄膜晶体管包括源极(13)、漏极(14)、半导体层(15)、栅氧化层(12)以及底栅(11)，底栅(11)设置于栅氧化层(12)下方，底栅(11)同时与源极(13)和漏极(14)相交叠或者边缘对齐，栅氧化层(12)上方与半导体层(15)下方的沟道接触。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
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