[发明专利]一种硅纳米线阵列异质结太阳能电池及其制备方法在审
| 申请号： | 201711249673.0 | 申请日： | 2017-12-01 |
| 公开（公告）号： | CN107895760A | 公开（公告）日： | 2018-04-10 |
| 发明（设计）人： | 张军 | 申请（专利权）人： | 苏州宝澜环保科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L51/48 | 分类号： | H01L51/48;H01L51/42;H01L51/46 |
| 代理公司： | 苏州谨和知识产权代理事务所(特殊普通合伙)32295 | 代理人： | 仲崇明 |
| 地址： | 215000 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种硅纳米线阵列异质结太阳能电池及其制备方法，属于太阳能电池技术领域。所述硅纳米线阵列异质结太阳能电池的制备方法包括n型硅片的清洗；n型硅片表面的硅纳米线阵列的制备；n型硅片表面的钝化处理；硅钨酸掺杂PEDOTPSS层的制备；正面电极的制备；背面电极的制备。通过利用硅钨酸掺杂PEDOTPSS层，改善所述硅纳米线阵列异质结太阳能电池的空穴传输性能，进而提高其光电转换效率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 纳米 阵列 异质结 太阳能电池 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种硅纳米线阵列异质结太阳能电池的制备方法，其特征在于：包括以下步骤：(1)n型硅片的清洗；(2)n型硅片表面的硅纳米线阵列的制备；(3)n型硅片表面的钝化处理；(4)硅钨酸掺杂PEDOT:PSS层的制备：在步骤(3)得到的n型硅片的正面旋涂PEDOT:PSS溶液，接着进行第一次退火处理，然后在所述第一次退火处理后的n型硅片表面依次旋涂硅钨酸溶液、PEDOT:PSS溶液、硅钨酸溶液、PEDOT:PSS溶液、硅钨酸溶液，接着进行第二次退火处理，以形成所述硅钨酸掺杂PEDOT:PSS层；(5)正面电极的制备；(6)背面电极的制备。
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