[发明专利]一种硅基太阳能电池及其制备方法有效
申请号: | 201711249674.5 | 申请日: | 2017-12-01 |
公开(公告)号: | CN107768467B | 公开(公告)日: | 2019-05-21 |
发明(设计)人: | 张军 | 申请(专利权)人: | 中山市宇王安防科技有限公司 |
主分类号: | H01L31/042 | 分类号: | H01L31/042;H01L31/0224;H01L31/18 |
代理公司: | 中山市粤捷信知识产权代理事务所(普通合伙) 44583 | 代理人: | 林名钦 |
地址: | 528400 广东省*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | 本发明涉及一种硅基太阳能电池及其制备方法,属于太阳能电池技术领域。该硅基太阳能电池的制备方法包括:n型硅片的清洗;n型硅片的表面钝化处理;第一PEDOT:PSS层的制备;第二PEDOT:PSS层的制备;第三PEDOT:PSS层的制备;第四PEDOT:PSS层的制备;第五PEDOT:PSS层的制备;正面电极的制备;背面电极的制备。所述硅基太阳能电池的光电转换效率高达12.4%。 | ||
搜索关键词: | 一种 太阳能电池 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
1.一种硅基太阳能电池的制备方法,其特征在于:包括以下步骤:1)对n型硅片进行清洗;2)对n型硅片进行表面钝化处理;3)第一PEDOT:PSS层的制备:在步骤2得到的n型硅片的正面旋涂浓度为15‑18mg/ml的PEDOT:PSS溶液,其中,转速为1500‑1900转/分钟,然后进行退火处理,形成第一PEDOT:PSS层;4)第二PEDOT:PSS层的制备:在步骤3得到的n型硅片的正面旋涂浓度为12‑14mg/ml的PEDOT:PSS溶液,其中,转速为2000‑2400转/分钟,然后进行退火处理,形成第二PEDOT:PSS层;5)第三PEDOT:PSS层的制备:在步骤4得到的n型硅片的正面旋涂浓度为9‑11mg/ml的PEDOT:PSS溶液,其中,转速为3000‑3400转/分钟,然后进行退火处理,形成第三PEDOT:PSS层;6)第四PEDOT:PSS层的制备:在步骤5得到的n型硅片的正面旋涂浓度为6‑8mg/ml的PEDOT:PSS溶液,其中,转速为3500‑3900转/分钟,然后进行退火处理,形成第四PEDOT:PSS层;7)第五PEDOT:PSS层的制备:在步骤6得到的n型硅片的正面旋涂浓度为3‑5mg/ml的PEDOT:PSS溶液,其中,转速为4000‑4500转/分钟,然后进行退火处理,形成第五PEDOT:PSS层;8)制备正面电极;9)制备背面电极;其中,所述步骤3中的旋涂时间为1‑2分钟,所述步骤4中的旋涂时间为2‑3分钟,所述步骤5中的旋涂时间为3‑4分钟,所述步骤6中的旋涂时间为4‑5分钟,所述步骤7中的旋涂时间为5‑6分钟。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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