[发明专利]一种硅基太阳能电池及其制备方法有效

专利信息
申请号: 201711249674.5 申请日: 2017-12-01
公开(公告)号: CN107768467B 公开(公告)日: 2019-05-21
发明(设计)人: 张军 申请(专利权)人: 中山市宇王安防科技有限公司
主分类号: H01L31/042 分类号: H01L31/042;H01L31/0224;H01L31/18
代理公司: 中山市粤捷信知识产权代理事务所(普通合伙) 44583 代理人: 林名钦
地址: 528400 广东省*** 国省代码: 广东;44
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摘要: 发明涉及一种硅基太阳能电池及其制备方法,属于太阳能电池技术领域。该硅基太阳能电池的制备方法包括:n型硅片的清洗;n型硅片的表面钝化处理;第一PEDOT:PSS层的制备;第二PEDOT:PSS层的制备;第三PEDOT:PSS层的制备;第四PEDOT:PSS层的制备;第五PEDOT:PSS层的制备;正面电极的制备;背面电极的制备。所述硅基太阳能电池的光电转换效率高达12.4%。
搜索关键词: 一种 太阳能电池 及其 制备 方法
【主权项】:
1.一种硅基太阳能电池的制备方法,其特征在于:包括以下步骤:1)对n型硅片进行清洗;2)对n型硅片进行表面钝化处理;3)第一PEDOT:PSS层的制备:在步骤2得到的n型硅片的正面旋涂浓度为15‑18mg/ml的PEDOT:PSS溶液,其中,转速为1500‑1900转/分钟,然后进行退火处理,形成第一PEDOT:PSS层;4)第二PEDOT:PSS层的制备:在步骤3得到的n型硅片的正面旋涂浓度为12‑14mg/ml的PEDOT:PSS溶液,其中,转速为2000‑2400转/分钟,然后进行退火处理,形成第二PEDOT:PSS层;5)第三PEDOT:PSS层的制备:在步骤4得到的n型硅片的正面旋涂浓度为9‑11mg/ml的PEDOT:PSS溶液,其中,转速为3000‑3400转/分钟,然后进行退火处理,形成第三PEDOT:PSS层;6)第四PEDOT:PSS层的制备:在步骤5得到的n型硅片的正面旋涂浓度为6‑8mg/ml的PEDOT:PSS溶液,其中,转速为3500‑3900转/分钟,然后进行退火处理,形成第四PEDOT:PSS层;7)第五PEDOT:PSS层的制备:在步骤6得到的n型硅片的正面旋涂浓度为3‑5mg/ml的PEDOT:PSS溶液,其中,转速为4000‑4500转/分钟,然后进行退火处理,形成第五PEDOT:PSS层;8)制备正面电极;9)制备背面电极;其中,所述步骤3中的旋涂时间为1‑2分钟,所述步骤4中的旋涂时间为2‑3分钟,所述步骤5中的旋涂时间为3‑4分钟,所述步骤6中的旋涂时间为4‑5分钟,所述步骤7中的旋涂时间为5‑6分钟。
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