[发明专利]半导体装置及电力变换装置有效

专利信息
申请号: 201711251027.8 申请日: 2017-12-01
公开(公告)号: CN108133927B 公开(公告)日: 2021-02-23
发明(设计)人: 杉町诚也;白水政孝 申请(专利权)人: 三菱电机株式会社
主分类号: H01L23/495 分类号: H01L23/495;H01L25/18;H02M7/00
代理公司: 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 代理人: 何立波;张天舒
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 半导体装置(101)具有高电位侧模块部分(10)和低电位侧模块部分(20)彼此重叠的结构。还具有跨越高电位侧模块部分(10)和低电位侧模块部分(20)且载置高电位侧集成电路(12)及低电位侧集成电路(22)的控制侧框架(31)。高电位侧模块部分(10)的高电位侧集成电路(12)和低电位侧模块部分(20)的低电位侧集成电路(22)载置于控制侧框架(31)的一个主表面之上。控制侧框架(31)在高电位侧模块部分(10)和低电位侧模块部分(20)的边界(B1、B2),以高电位侧半导体芯片(11)和低电位侧半导体芯片(21)彼此相对的方式弯折。
搜索关键词: 半导体 装置 电力 变换
【主权项】:
一种半导体装置,其具备在俯视中以彼此重叠的方式配置的高电位侧模块部分与低电位侧模块部分,在该半导体装置中,所述高电位侧模块部分包含:高电位侧半导体芯片、高电位侧集成电路、以及载置所述高电位侧半导体芯片的高电位侧引线框架,所述低电位侧模块部分包含:低电位侧半导体芯片、低电位侧集成电路、以及载置所述低电位侧半导体芯片的低电位侧引线框架,该半导体装置还具备跨越所述高电位侧模块部分和所述低电位侧模块部分且载置所述高电位侧集成电路及所述低电位侧集成电路的控制侧框架,所述高电位侧集成电路及所述低电位侧集成电路载置于所述控制侧框架的一个主表面之上,所述控制侧框架在所述高电位侧模块部分和所述低电位侧模块部分的边界,以所述高电位侧半导体芯片和所述低电位侧半导体芯片彼此相对的方式弯折。
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