[发明专利]层结构非对称的MXene及其衍生的异质结有效
| 申请号： | 201711251078.0 | 申请日： | 2017-12-01 |
| 公开（公告）号： | CN107968116B | 公开（公告）日： | 2020-12-29 |
| 发明（设计）人： | 刘焕明;李白海 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L31/0352 |
| 代理公司： | 成都虹盛汇泉专利代理有限公司 51268 | 代理人： | 王伟 |
| 地址： | 611731 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种层结构非对称的MXene(简称aMXene)及其衍生的异质结。将具有层结构对称性的MXene的顶或底钝化官能团层中一层去掉后，即可得到具有强偶极矩的aMXene。选择合适的单层过渡金属二硫族化物(mTMDC)去钝化aMXene的暴露一侧，则使得aMXene衍生为aMXene/mTMDC异质结。本发明提供的aMXene/mTMDC异质结，异层间具有强的电位差，有助于二维结构间的电荷重新分配,进而实现对能带结构、带边相对位置、载流子产生与变化的调控，从而赋予aMXene/TMDC异质结在电子学与化工应用方面的极大竞争力，使其在自旋电子学、电子/光电子、催化/光催化等领域方面具有良好的应用前景。 | ||
| 搜索关键词： | 结构 对称 mxene 及其 衍生 异质结 | ||
【主权项】：
一种层结构非对称的MXene，其特征在于为去掉具有层结构对称性的MXene的顶或底钝化官能团中的一层，形成层结构非对称的二维材料aMXene。
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