[发明专利]层结构非对称的MXene及其衍生的异质结有效

专利信息
申请号: 201711251078.0 申请日: 2017-12-01
公开(公告)号: CN107968116B 公开(公告)日: 2020-12-29
发明(设计)人: 刘焕明;李白海 申请(专利权)人: 电子科技大学
主分类号: H01L29/06 分类号: H01L29/06;H01L31/0352
代理公司: 成都虹盛汇泉专利代理有限公司 51268 代理人: 王伟
地址: 611731 四川省成*** 国省代码: 四川;51
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明公开了一种层结构非对称的MXene(简称aMXene)及其衍生的异质结。将具有层结构对称性的MXene的顶或底钝化官能团层中一层去掉后,即可得到具有强偶极矩的aMXene。选择合适的单层过渡金属二硫族化物(mTMDC)去钝化aMXene的暴露一侧,则使得aMXene衍生为aMXene/mTMDC异质结。本发明提供的aMXene/mTMDC异质结,异层间具有强的电位差,有助于二维结构间的电荷重新分配,进而实现对能带结构、带边相对位置、载流子产生与变化的调控,从而赋予aMXene/TMDC异质结在电子学与化工应用方面的极大竞争力,使其在自旋电子学、电子/光电子、催化/光催化等领域方面具有良好的应用前景。
搜索关键词: 结构 对称 mxene 及其 衍生 异质结
【主权项】:
一种层结构非对称的MXene,其特征在于为去掉具有层结构对称性的MXene的顶或底钝化官能团中的一层,形成层结构非对称的二维材料aMXene。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于电子科技大学,未经电子科技大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201711251078.0/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top