[发明专利]层结构非对称的MXene及其衍生的异质结有效
申请号: | 201711251078.0 | 申请日: | 2017-12-01 |
公开(公告)号: | CN107968116B | 公开(公告)日: | 2020-12-29 |
发明(设计)人: | 刘焕明;李白海 | 申请(专利权)人: | 电子科技大学 |
主分类号: | H01L29/06 | 分类号: | H01L29/06;H01L31/0352 |
代理公司: | 成都虹盛汇泉专利代理有限公司 51268 | 代理人: | 王伟 |
地址: | 611731 四川省成*** | 国省代码: | 四川;51 |
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摘要: | 本发明公开了一种层结构非对称的MXene(简称aMXene)及其衍生的异质结。将具有层结构对称性的MXene的顶或底钝化官能团层中一层去掉后,即可得到具有强偶极矩的aMXene。选择合适的单层过渡金属二硫族化物(mTMDC)去钝化aMXene的暴露一侧,则使得aMXene衍生为aMXene/mTMDC异质结。本发明提供的aMXene/mTMDC异质结,异层间具有强的电位差,有助于二维结构间的电荷重新分配,进而实现对能带结构、带边相对位置、载流子产生与变化的调控,从而赋予aMXene/TMDC异质结在电子学与化工应用方面的极大竞争力,使其在自旋电子学、电子/光电子、催化/光催化等领域方面具有良好的应用前景。 | ||
搜索关键词: | 结构 对称 mxene 及其 衍生 异质结 | ||
【主权项】:
一种层结构非对称的MXene,其特征在于为去掉具有层结构对称性的MXene的顶或底钝化官能团中的一层,形成层结构非对称的二维材料aMXene。
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