[发明专利]一种使用接地哑元的MRAM芯片有效
| 申请号： | 201711251087.X | 申请日： | 2017-12-01 |
| 公开（公告）号： | CN109873009B | 公开（公告）日： | 2023-09-22 |
| 发明（设计）人： | 戴瑾;陈俊 | 申请（专利权）人： | 上海磁宇信息科技有限公司 |
| 主分类号： | H10B61/00 | 分类号： | H10B61/00;H10N50/10;H10N50/80 |
| 代理公司： | 上海容慧专利代理事务所(普通合伙) 31287 | 代理人： | 于晓菁 |
| 地址： | 201800 上海*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种使用接地哑元的MRAM芯片，包括MRAM芯片本体和接地哑元，所述接地哑元包括哑元和通孔，所述哑元通过所述通孔接地。所述接地哑元至少有两个，当多个MRAM芯片排列成MRAM芯阵列时，所述接地哑元等间隔的插入所述MRAM芯片阵列空隙中。本发明公开的MRAM芯片通过接地哑元，改善了哑元的沉积蚀刻效果，以此消除天线效应带来的差别，获得更高的工艺质量和更高的良率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 使用 接地 mram 芯片 | ||
【主权项】：
1.一种使用接地哑元的MRAM芯片，所述MRAM芯片包括MRAM芯片本体和接地哑元，其特征在于，所述接地哑元包括哑元和通孔，所述哑元通过所述通孔接地。
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