[发明专利]一种基于预修整工艺的晶圆键合方法

摘要

本发明提供一种基于预修整工艺的晶圆键合方法，属于半导体制造技术领域，包括：步骤S1、通过预修整工艺，对一片或两片晶圆进行预修整处理以去除晶圆上的残留；步骤S2、通过键合工艺，对两片晶圆进行键合处理以使两片晶圆键合；步骤S1中，通过预修整工艺进行预修整处理的具体步骤包括：步骤S11、通过一修整设备的研磨头对倒角上的残留进行研磨以去除残留；步骤S12、通过一酸液对晶圆进行至少一次清洗处理。本发明的有益效果：能够去除前制程工艺中产生的残留，避免在键合工艺时残留剥落至晶圆表面使晶圆键合后形成键合缺陷，从而降低晶圆键合空洞缺陷率，提高产品良率，改善产品性能。

主权项

1.一种基于预修整工艺的晶圆键合方法，所述晶圆键合方法适用于分别经过前制程工艺加工的两片晶圆，至少一片所述晶圆的边缘具有一倒角，所述倒角上具有经过所述前制程工艺加工后产生的残留；其特征在于，所述晶圆键合方法包括：步骤S1、通过预修整工艺，对具有所述倒角的所述晶圆进行预修整处理以去除所述晶圆的所述倒角上的所述残留；步骤S2、通过键合工艺，对所述两片晶圆进行键合处理以使所述两片晶圆键合；所述步骤S1中，通过所述预修整工艺进行所述预修整处理的具体步骤包括：步骤S11、通过一修整设备的研磨头对所述倒角上的所述残留进行研磨以去除所述残留；步骤S12、通过一酸液对所述晶圆进行至少一次清洗处理；所述晶圆具有晶圆正面、与所述晶圆正面相对且平行的晶圆背面、位于所述晶圆正面和所述晶圆背面之间且与所述晶圆正面平行的第一个台阶面、连接所述晶圆正面和所述第一个台阶面的延伸面、与所述晶圆正面垂直的晶圆侧面、连接所述第一个台阶面和所述晶圆侧面的第一倾斜面；所述第一个台阶面与所述第一倾斜面构成所述倒角，且所述残留位于所述第一倾斜面上；所述步骤S11中，对所述倒角上的所述残留进行研磨时，还会去除位于所述残留下方的部分所述晶圆；预修整工艺完成后，在所述倒角的位置形成与所述晶圆的正面平行的第二个台阶面以及与第二个台阶面垂直的第二个延伸面。