[发明专利]一种晶体硅边缘刻蚀添加剂及其使用方法在审
| 申请号： | 201711251278.6 | 申请日： | 2017-12-01 |
| 公开（公告）号： | CN108004598A | 公开（公告）日： | 2018-05-08 |
| 发明（设计）人： | 李一鸣;张益荣;张震华;桑丹义;邓雨微;吴冰 | 申请（专利权）人： | 绍兴拓邦电子科技有限公司 |
| 主分类号： | C30B33/10 | 分类号： | C30B33/10;C30B29/06;C23F1/24;H01L31/0236 |
| 代理公司： | 长沙星耀专利事务所(普通合伙) 43205 | 代理人： | 许伯严 |
| 地址： | 312353 浙江省绍兴*** | 国省代码： | 浙江;33 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本发明公开了一种晶体硅边缘刻蚀添加剂及其使用方法，属于太阳能电池生产技术领域，是指在常规双面晶硅太阳能电池片制备过程中，对硅片进行刻蚀是为了提高太阳能电池片的性能和效率，需要去除边缘PN结使得硅片的上下表面相互绝缘，从而提高太阳能电池的转换效率。一种晶体硅边缘刻蚀添加剂，包括以下成分：棕榈酸、甘油、硬脂酸、尿素和去离子水。本发明的优点在于可以不破坏背面绒面结构从而大幅度提升了电池背面的转换效率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 晶体 边缘 刻蚀 添加剂 及其 使用方法 | ||
【主权项】：
1.一种晶体硅边缘刻蚀添加剂，其特征在于，包括以下成分：棕榈酸、甘油、硬脂酸、尿素和去离子水。
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