[发明专利]星载单航过InSAR系统电离层误差校正方法有效

专利信息
申请号: 201711251949.9 申请日: 2017-12-01
公开(公告)号: CN108008367B 公开(公告)日: 2019-09-13
发明(设计)人: 余安喜;郑涵之;董臻;张永胜;张启雷;何峰;孙造宇;黄海风;金光虎;何志华 申请(专利权)人: 中国人民解放军国防科技大学
主分类号: G01S7/40 分类号: G01S7/40
代理公司: 国防科技大学专利服务中心 43202 代理人: 王文惠
地址: 410073 湖*** 国省代码: 湖南;43
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摘要: 发明提供一种星载单航过InSAR系统电离层误差校正方法。技术方案是:首先,利用星载单航过InSAR系统电离层影响效应模型,根据雷达系统参数和先验电离层TEC值,计算距离‑高度平面内电离层引入的二维测量误差;然后,根据星载SAR成像几何模型,通过投影变换,将二维误差分解到三维地固坐标系下表示;最后,逐点校正被测场景中的电离层误差影响。本发明校正精度高,并可用于直接处理干涉定位结果,操作过程简单高效。
搜索关键词: 星载单航 insar 系统 电离层 误差 校正 方法
【主权项】:
1.一种星载单航过InSAR系统电离层误差校正方法,InSAR是指干涉合成孔径雷达,已知星载单航过InSAR系统基本参数:主雷达和辅雷达的信号中心频率均为f0;已知在任意时刻下,被测场景对应的电离层基本参数:电离层垂直天顶方向电子总量值T,电离层沿距离向垂直天顶电子总量变化梯度dv,电离层质心高度hiono;星载单航过InSAR系统辅星在地固坐标系下的轨道坐标A(xA,yA,zA),辅雷达入射角θ,距地面高度hsat,垂直基线长度B;辅雷达距被测场景的斜距rslant;被测场景中任一点在地固坐标系下的坐标B(xB,yB,zB);其特征在于,对于被测场景中坐标为B(xB,yB,zB)的任意点,采用以下步骤完成场景的三维坐标电离层误差影响校正:第一步:计算距离‑高度平面内的水平测量误差和垂直测量误差:首先,利用下式计算辅雷达电离层入射角β:上式中,R表示地球半径;然后,计算主、辅雷达入射角之差Δθ及主、辅雷达电离层入射角之差Δβ,并根据电离层电波传播机理计算垂直天顶方向的群延迟τgroupΔβ=b·Δθ上式中,c为光速,K为常数取值为40.28,最后,计算电离层对星载单航过InSAR系统引入的水平测量误差和垂直测量误差第二步:将二维测量误差投影变换到三维地固坐标系下表示:首先,利用下式计算垂直测量误差在地固坐标系下的误差向量然后,计算误差向量上式中,O为地心在地固坐标系下的坐标为(0,0,0);最后,按照下式计算电离层引入的地固坐标系三维坐标偏移向量第三步:校正电离层误差影响后被测场景的三维地固坐标系坐标;利用下式计算校正后的三维地固坐标B'(xB',yB',zB'):xB'=xB+xBEyB'=yB+yBEzB'=zB+zBE即获得校正后的结果。
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