[发明专利]一种多孔硅纳米线复合结构及其制备方法在审
| 申请号： | 201711252700.X | 申请日： | 2017-12-01 |
| 公开（公告）号： | CN108022967A | 公开（公告）日： | 2018-05-11 |
| 发明（设计）人： | 王耀功;周璇;张小宁;王文江 | 申请（专利权）人： | 西安交通大学 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L21/02 |
| 代理公司： | 西安通大专利代理有限责任公司 61200 | 代理人： | 王霞 |
| 地址： | 710049 陕*** | 国省代码： | 陕西;61 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本发明公开了种多孔硅纳米线复合结构及其制备方法，属于硅纳米线制备技术领域。采用的技术方案为：一种多孔硅纳米线复合结构，包括硅衬底，在硅衬底上表面设有多孔硅层，在多孔硅层上表面设有硅纳米线层。所述多孔硅纳米线复合结构的制备方法，在硅衬底表面刻蚀得到多孔硅层，在多孔硅层表面进行电催化金属辅助刻蚀制备硅纳米线层。本发明方法刻蚀速率大大提高，缩短了刻蚀时间；能够形成均匀的多孔硅纳米线；能够以通过控制电流大小及刻蚀时间达到控制纳米线形貌的作用；制备工艺简单，成本较低，快速高效。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 多孔 纳米 复合 结构 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种多孔硅纳米线复合结构，其特征在于，包括硅衬底，在硅衬底上表面设有多孔硅层，在多孔硅层上表面设有硅纳米线层。
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