[发明专利]多晶氮化铝基板的抛光方法及多晶氮化铝基板的成品在审
| 申请号： | 201711254506.5 | 申请日： | 2017-12-01 |
| 公开（公告）号： | CN109866082A | 公开（公告）日： | 2019-06-11 |
| 发明（设计）人： | 王兴民;张延瑜;李瑞评;洪士哲;罗乾维 | 申请（专利权）人： | 兆远科技股份有限公司 |
| 主分类号： | B24B1/00 | 分类号： | B24B1/00 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 喻颖 |
| 地址： | 中国台湾新竹科学工业园*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 一种多晶氮化铝基板的抛光方法，包含下列步骤：将多晶氮化铝基板置于一抛光装置进行抛光作业，其中抛光装置所使用的抛光液的pH值介于7～9.5之间，且抛光液中包括重量百分比介于15～30％的研磨剂；在抛光作业完成后，将多晶氮化铝基板自该抛光装置取出。藉此可以让多晶氮化铝基板在抛光时维持在适当的移除速率，避免抛光速率过快造成表面上孔洞的产生。多晶氮化铝基板的成品经抛光后的至少一表面上，直径介于0.05～8μm的缺陷的缺陷密度小于10颗/cm2。 | ||
| 搜索关键词： | 氮化铝基板 多晶 抛光 抛光装置 抛光作业 抛光液 重量百分比 上孔洞 研磨剂 移除 取出 | ||
【主权项】：
1.一种多晶氮化铝基板的抛光方法，包含下列步骤：将该多晶氮化铝基板置于一抛光装置，以对该多晶氮化铝基板的至少一表面进行抛光作业，其中该抛光装置所使用的抛光液的pH值介于一预定pH值范围，该预定pH值范围为7～9.5之间，且抛光液中包括研磨剂，研磨剂的重量百分比介于一预定重量百分比范围，该预定重量百分比范围为15～30％；以及抛光作业完成后，将该多晶氮化铝基板自该抛光装置取出。
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