[发明专利]抛光垫修整方法及包含其的化学机械抛光方法有效

专利信息
申请号: 201711254622.7 申请日: 2017-12-01
公开(公告)号: CN107953259B 公开(公告)日: 2019-09-27
发明(设计)人: 张康;尹影;李婷;岳爽 申请(专利权)人: 北京半导体专用设备研究所(中国电子科技集团公司第四十五研究所)
主分类号: B24B53/00 分类号: B24B53/00
代理公司: 北京超凡志成知识产权代理事务所(普通合伙) 11371 代理人: 李丙林
地址: 100176 北*** 国省代码: 北京;11
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摘要: 发明提供了一种抛光垫修整方法及包含其的化学机械抛光方法,涉及化学机械抛光领域,该抛光垫修整方法,沿抛光垫的径向方向,修整器在所述抛光垫的边缘和所述抛光垫的中心之间做往复运动对所述抛光垫进行修整;沿抛光垫的径向方向,所述抛光垫从边缘至中心依次划分不同的修整区域,修整器不同修整区域内的相对修整时间和下压压力不同,以缓解利用现有修整方法容易导致抛光垫表面过抛,容易导致晶圆平整度下降和表面缺陷增加的问题,达到延长抛光垫使用寿命和降低晶圆表面缺陷的目的。
搜索关键词: 抛光 修整 方法 包含 化学 机械抛光
【主权项】:
1.一种抛光垫修整方法,其特征在于,沿抛光垫的径向方向,修整器在所述抛光垫的边缘和所述抛光垫的中心之间做往复运动对所述抛光垫进行修整;沿抛光垫的径向方向,所述抛光垫从边缘至中心依次划分第一修整区域、第二修整区域、……、第N修整区域,修整器依次在第一修整区域、第二修整区域、……、第N修整区域内的相对修整时间先逐渐降低再逐渐升高;相应地,修整器依次在第一修整区域、第二修整区域、……、第N修整区域内的下压压力先逐渐增大再逐渐降低;其中,N≥3;所述修整器在第一修整区域内的相对修整时间为3~6,修整器的下压压力为3~7lbf;所述修整器在第N修整区域内的相对修整时间为2~4,修整器的下压压力为4~7.5lbf;所述修整器在第二修整区域至第N‑1修整区域内的相对修整时间独立地为1~3,修整器的下压压力独立地为5~10lbf。
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