[发明专利]一种溴麦角隐亭分子印迹电化学传感器的制备方法

摘要

本发明公开了一种溴麦角隐亭分子印迹电化学传感器的制备方法，以溴麦角隐亭为模板分子、冬凌草甲素为功能单体、偶氮二异丁腈为引发剂、纳米粘土为掺杂剂，以N‑反式阿魏酰酪胺作为交联剂，据此制备了高灵敏度的纳米粘土掺杂的溴麦角隐亭分子印迹电化学传感器，该分析方法简单实用，克服了以往分析方法复杂、设备昂贵、灵敏度低的缺点。

主权项

一种溴麦角隐亭分子印迹电化学传感器的制备方法，其特征在于以0.02 mmol/mL～0.15 mmol/mL的溴麦角隐亭为模板分子、0.20 mmol/mL～0.80 mmol/mL的冬凌草甲素为功能单体、0.013 mmol/mL的偶氮二异丁腈为引发剂、以0.50 mmol/mL的N‑反式阿魏酰酪胺为交联剂、0.0010 g/mL～0.0060 g/mL的纳米粘土为掺杂剂，在玻碳电极表面上形成一种杂化纳米粘土溴麦角隐亭分子印迹聚合物薄膜，然后采用洗脱剂乙酸和丙醇混合溶剂洗脱模板分子即得；具体按以下操作进行：<1>向10.0 mL溶剂乙醇中，依次加入0.2 mmol～1.5 mmol模板分子溴麦角隐亭、 2.0 mmol～ 8.0 mmol 功能单体冬凌草甲素、5.0 mmol交联剂N‑反式阿魏酰酪胺、 0.13 mmol引发剂偶氮二异丁腈及0.0100 g～0.0600 g的纳米粘土，每加入一种化学试剂超声波溶解8分钟；<2>取步骤<1>的混合物8 μL涂于干净光滑的直径为2 mm的玻碳电极表面上，放置6小时后，将修饰后的电极置于80 ℃的真空干燥箱内热聚合 1.5小时，然后采用洗脱剂摩尔比为1:1的乙酸和丙醇混合溶剂将模板分子洗脱，即得。