[发明专利]具有用于栅极偏压调制的包络信号整形的放大器装置有效
| 申请号： | 201711257280.4 | 申请日： | 2017-12-01 |
| 公开（公告）号： | CN108233882B | 公开（公告）日： | 2023-06-27 |
| 发明（设计）人： | 阿卜杜勒拉赫曼·M·S·艾哈迈德;约瑟夫·斯陶丁格 | 申请（专利权）人： | 恩智浦美国有限公司 |
| 主分类号： | H03F3/21 | 分类号： | H03F3/21;H03F3/193;H03F1/02;H03F1/42;H03F1/32 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 纪雯 |
| 地址： | 美国德*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本文中所描述的实施例包括被配置成用于射频(RF)应用中的放大器。根据这些实施例，所述放大器经实施以产生经整形包络信号，且将所述经整形包络信号施加到所述放大器的晶体管栅极以提供栅极偏压调制。如此配置，所述经整形包络信号可促进所述放大器的较高线性。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 用于 栅极 偏压 调制 包络 信号 整形 放大器 装置 | ||
【主权项】：
1.一种设备，其特征在于，包括：包络信号产生器，所述包络信号产生器被配置成接收射频(RF)信号并产生对应于所述RF信号的包络信号；第一放大器，所述第一放大器至少包括第一晶体管，所述第一晶体管包括被配置成接收所述RF信号的第一栅极；以及信号整形装置，所述信号整形装置被配置成选择性地对所述包络信号进行整形，并将所述经选择性整形的包络信号施加到所述第一栅极以调制施加到所述第一栅极的偏压。
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