[发明专利]半导体制造工艺所排放的有害气体的综合处理系统在审
申请号: | 201711257860.3 | 申请日: | 2017-12-04 |
公开(公告)号: | CN109718639A | 公开(公告)日: | 2019-05-07 |
发明(设计)人: | 金炫澔;鲁学宰;尹今洙 | 申请(专利权)人: | 明成环保科技有限公司 |
主分类号: | B01D53/18 | 分类号: | B01D53/18;B01D53/14;B01D53/86;B01D53/56;B01D47/06 |
代理公司: | 北京奥文知识产权代理事务所(普通合伙) 11534 | 代理人: | 阴亮;张文 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | 本发明涉及一种把半导体制造工艺发生的有害气体予以净化处理后排放的综合处理系统,更详细地说,该有害气体综合处理系统在壳体内统合性地设有洗涤除尘装置、电气集尘装置、催化反应装置而能够同时处理所排放的酸性气体(亦即,HF气体与HCl气体)、温室气体(N2O气体)及氮氧化物与微细物质,能通过热交换器节约能源。 | ||
搜索关键词: | 综合处理系统 半导体制造工艺 排放 催化反应装置 电气集尘装置 氮氧化物 净化处理 热交换器 酸性气体 微细物质 温室气体 洗涤除尘 体内 节约 能源 | ||
【主权项】:
1.一种有害气体综合处理系统,其特征在于,包括:壳体,设有让有害气体流入的流入部、把净化的废气排放的排放部;洗涤除尘装置,由连接到上述流入部并且让有害气体贯穿的多个过滤构件、设有向上述过滤构件喷射清洗液的多个喷嘴的洗涤器构成,消除有害气体内的HF气体与HCl气体;电气集尘装置,设于上述洗涤除尘装置后端并且消除有害气体内的液滴及薄雾;催化反应装置,让通过了上述电气集尘装置的有害气体流入并且和分解催化剂或还原催化剂进行反应消除N2O气体后把消除了有害成分的废气予以排放。
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