[发明专利]一种多晶硅TFT基板的制作方法及多晶硅TFT基板

摘要

本发明实施例公开了一种多晶硅TFT基板的制作方法，包括：步骤S10，在衬底基板上沉积非晶硅膜层；步骤S11，对非晶硅膜层进行准分子激光退火，形成多晶硅有源层；步骤S12，对多晶硅有源层的沟道区域进行离子掺杂，形成沟道掺杂区；步骤S13，在多晶硅有源层上沉积形成栅极绝缘层；步骤S14，向有源层多晶硅的沟道区域注入氢离子；步骤S15，在栅极绝缘层上沉积形成栅极层；步骤S16，对多晶硅有源层的源极区与漏极区进行离子掺杂，形成源极掺杂区和漏极掺杂区；步骤S17，在栅极层上沉积形成层间绝缘层；步骤S18，在层间绝缘层上形成第一过孔以及第二过孔，并分别沉积形成源电极膜层和漏电极膜层，分别与源极掺杂区和漏极掺杂区电连接。本发明还公开了相应的多晶硅TFT基板。实施本发明，可以精确控制氢原子补入的浓度和深度，并提高TFT的良率。

主权项

1.一种多晶硅TFT基板的制作方法，其特征在于，包括下述步骤：步骤S10，在衬底基板上沉积非晶硅膜层；步骤S11，对所述非晶硅膜层进行准分子激光退火，形成多晶硅有源层；步骤S12，对所述多晶硅有源层的沟道区域进行离子掺杂，形成沟道掺杂区；步骤S13，在所述多晶硅有源层上沉积形成栅极绝缘层步骤S14，采用离子注入机控制向所述有源层多晶硅的沟道区域注入氢离子；步骤S15，在所述栅极绝缘层上沉积形成栅极层；步骤S16，对所述多晶硅有源层的源极区与漏极区进行离子掺杂，形成源极掺杂区和漏极掺杂区；步骤S17，在所述栅极层上沉积形成层间绝缘层；步骤S18，在所述层间绝缘层上正对所述源极掺杂区以及漏极掺杂区的位置形成第一过孔以及第二过孔，在所述第一过孔和第二过孔中分别沉积形成源电极膜层和漏电极膜层，使所述源电极膜层通过所述第一过孔与所述多晶硅有源层的源极掺杂区电连接，使所述漏电极膜层通过所述第二过孔与所述多晶硅有源层的漏极掺杂区电连接。