[发明专利]电容结构、包括电容结构的半导体管芯及其形成方法

摘要

本公开实施例提供一种电容结构及形成上述电容结构的方法，包括提供具有二维沟槽阵列的基板的掺杂区。数个区段定义于上述二维沟槽阵列中。这些区段的每一者具有沿着上述基板延伸的数个凹槽所形成的阵列，且这些区段相对于上述二维沟槽阵列的中心旋转对称。第一导电层位于上述表面、上述凹槽的底部以及侧壁上，且第一导电层以第一介电层与上述基板绝缘。第二导电层位于第一导电层上，且第二导电层以第二介电层与第一导电层绝缘。第一与第二接点各自连接至第一导电层与第二导电层的露出的顶表面。第三接点连接至上述电容结构的局部区域中的基板。

主权项

1.一种电容结构的形成方法，包括:形成二维的沟槽阵列于一基板中，其中该二维的沟槽阵列具有定义于其中的数个区段，其中所述多个区段相对于该二维的沟槽阵列的一中心旋转对称，其中所述多个区段的每一者包括具有沿着该基板的一表面延伸一预定长度的数个凹槽的阵列；沉积一第一介电层于所述多个凹槽的一底部区域与侧壁上以及该基板的该表面上；沉积一第一厚度的第一导电层于该第一介电层上，其中该第一厚度为均匀的；沉积一第二介电层于该第一导电层上；沉积一第二厚度的第二导电层于该第二介电层上，其中该第二厚度为均匀的；移除未在所述多个凹槽中的该第二导电层以及该第二介电层的数个部分；以及移除位于该表面上且未在所述多个凹槽的一局部区域中的该第一导电层以及该第一介电层的数个部分。