[发明专利]一种低缺陷密度非晶氧化钼空穴传输层的制备方法

摘要

本发明为一种低缺陷密度非晶氧化钼空穴传输层的制备方法。该方法包括以下步骤：(1)将氧化钼陶瓷靶置于射频磁控溅射设备中；(2)再将太阳能电池衬底放入磁控溅射室，抽真空；(3)向磁控溅射室内通入混合气体，使磁控溅射室的工作压强为0‑2Pa；所述混合气体氧气和氩气；(4)给衬底加热，将衬底温度稳定到50‑250℃，沉积时间为20‑60min，得到非晶氧化钼空穴传输层。本发明步骤简单，生长速率可控，并且重复性好；通过调整氧气及氩气的流量比就可实现低缺陷密度非晶氧化钼空穴传输层的制备，从而使其更好的应用在器件上。

主权项

1.一种低缺陷密度非晶氧化钼空穴传输层的制备方法，其特征为该方法包括以下步骤：(1)将氧化钼陶瓷靶置于射频磁控溅射设备中；(2)再将衬底放入磁控溅射室，抽真空；真空抽至为2×10-4Pa-3×10-4Pa；所述的衬底为太阳能电池衬底；(3)向磁控溅射室内通入混合气体，使磁控溅射室的工作压强为1-2Pa；所述混合气体氧气和氩气，混合气体中氩气与氧气的比例100:0.1-100:1；(4)给衬底加热，将衬底温度稳定到50-250℃，维持溅射功率为50-150W，沉积时间为20-60min，然后停止给衬底加热，当衬底温度降至50-100℃时取出，得到低缺陷密度非晶氧化钼空穴传输层。