[发明专利]扇出型天线封装结构及其制备方法在审
| 申请号： | 201711259489.4 | 申请日： | 2017-12-04 |
| 公开（公告）号： | CN107887366A | 公开（公告）日： | 2018-04-06 |
| 发明（设计）人： | 陈彦亨;林正忠;吴政达;林章申 | 申请（专利权）人： | 中芯长电半导体（江阴）有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/66 | 分类号： | H01L23/66;H01Q1/22 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所(普通合伙)31219 | 代理人： | 余明伟 |
| 地址： | 214437 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明提供一种扇出型天线封装结构及其制备方法，所述制备方法包括提供一载体，并于载体上表面形成释放层；于释放层上表面形成芯片结构，芯片结构包括裸芯片，及位于裸芯片上、且与裸芯片电性连接的接触焊盘，其中，接触焊盘与释放层接触；于释放层上表面形成包覆芯片结构的塑封层；去除载体和释放层以暴露接触焊盘；于接触焊盘所在表面形成重新布线层的同时形成单层天线结构，其中，重新布线层与接触焊盘电性连接，天线结构与重新布线层电性连接；于重新布线层上表面形成焊球下金属层；及于焊球下金属层上表面形成焊球凸块。通过本发明提供的扇出型天线封装结构及其制备方法，解决了现有射频芯片在使用时需要外接天线，从而导致面积变大的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 扇出型 天线 封装 结构 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种扇出型天线封装结构的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括：步骤1)提供一载体，并于所述载体上表面形成释放层；步骤2)于所述释放层上表面形成芯片结构，所述芯片结构包括裸芯片，及位于所述裸芯片上、且与所述裸芯片电性连接的接触焊盘，其中，所述接触焊盘与所述释放层接触；步骤3)于所述释放层上表面形成塑封层，其中，所述塑封层包覆所述芯片结构；步骤4)去除所述载体和所述释放层，以暴露出所述接触焊盘；步骤5)于所述接触焊盘所在表面形成重新布线层的同时形成单层天线结构，其中，所述重新布线层与所述接触焊盘电性连接，所述天线结构与所述重新布线层电性连接；步骤6)于所述重新布线层上表面形成焊球下金属层；及步骤7)于所述焊球下金属层上表面形成焊球凸块。
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