[发明专利]一种氮掺杂三维多孔石墨烯及其制备方法在审
申请号: | 201711260869.X | 申请日: | 2017-12-04 |
公开(公告)号: | CN107857253A | 公开(公告)日: | 2018-03-30 |
发明(设计)人: | 赫文秀;张永强;李子庆;安胜利;王亚雄 | 申请(专利权)人: | 内蒙古科技大学 |
主分类号: | C01B32/184 | 分类号: | C01B32/184;H01G11/36 |
代理公司: | 北京律远专利代理事务所(普通合伙)11574 | 代理人: | 王冠宇 |
地址: | 014010 内蒙*** | 国省代码: | 内蒙古;15 |
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摘要: | 本发明公开了一种氮掺杂三维多孔石墨烯,氮掺杂三维多孔石墨烯中总氮的重量百分含量为6%~10%,导电率为232~427S·m‑1。氮掺杂三维多孔石墨烯中氮的掺杂形式为吡啶氮、吡咯氮和石墨氮;吡啶氮在总氮中百分含量为15%~26%;吡咯氮在总氮中百分含量为39%~52%;石墨氮在总氮中百分含量为26%~41%。本发明的氮掺杂三维多孔石墨烯,为电荷存储提供更多的活性位点,增大材料的有效接触面积,有利于提高电化学性能,有利于用于电极材料的比电容和循环性能的提高;制备方法操作简单不苛刻,反应条件温和无危险隐患,对设备要求不高,减低了原料和设备成本;适合工业化大规模生产应用。 | ||
搜索关键词: | 一种 掺杂 三维 多孔 石墨 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
一种氮掺杂三维多孔石墨烯,其特征在于,所述氮掺杂三维多孔石墨烯中总氮的重量百分含量为6%~10%;所述氮掺杂三维多孔石墨烯的导电率为232~427S·m‑1。
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