[发明专利]一种含硼桥联联二噻吩结构的有机光电材料及其应用在审
| 申请号： | 201711262164.1 | 申请日： | 2017-12-04 |
| 公开（公告）号： | CN108191897A | 公开（公告）日： | 2018-06-22 |
| 发明（设计）人： | 张善国;王明佼;胡葆华;林存生;石宇;周勇 | 申请（专利权）人： | 中节能万润股份有限公司 |
| 主分类号： | C07F5/02 | 分类号： | C07F5/02;C09K11/06;H01L51/50;H01L51/54 |
| 代理公司： | 烟台智宇知识产权事务所(特殊普通合伙) 37230 | 代理人： | 李增发 |
| 地址： | 264006 山东省烟*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种硼桥联联二噻吩结构的有机光电材料及其应用，属于有机光电材料领域。其中，采用以硼桥联联二噻吩为母体，大大提高了分子稳定性，同时提高了电子亲和性和导电性，有利于电子的传输，结合具有良好空穴传输性能的芳胺类，形成具有双极性传输能力的光电材料，使在发光层中空穴和电子的传输平衡，大大提高发光效率。本发明所述的含硼桥联联二噻吩结构的有机光电材料空间结构为刚性梯形平面结构，降低了分子势垒，提高了电子亲合势。作为OLED发光器件的发光材料，所制得的OLED器件，具有高亮度，高效率，低电压的效果特性。 | ||
| 搜索关键词： | 有机光电材料 桥联 噻吩结构 空间结构 空穴传输性能 梯形平面结构 导电性 电子亲和性 电子亲合势 分子稳定性 传输能力 传输平衡 发光材料 发光效率 光电材料 效果特性 低电压 发光层 高效率 双极性 中空穴 芳胺 势垒 母体 应用 传输 | ||
【主权项】：
1.一种含硼桥联联二噻吩结构的有机光电材料，其特征在于，该化合物结构式如通式(1)所示：![]()
R1和R2独立选自如下结构基团：![]()
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中的一种。；R3选自异丙基或叔丁基中的一种。
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