[发明专利]具有硅穿孔的芯片堆叠体及其制造方法有效
| 申请号： | 201711262213.1 | 申请日： | 2017-12-04 |
| 公开（公告）号： | CN107845622B | 公开（公告）日： | 2022-04-08 |
| 发明（设计）人： | 不公告发明人 | 申请（专利权）人： | 长鑫存储技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/538 | 分类号： | H01L23/538;H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京市铸成律师事务所 11313 | 代理人： | 张臻贤;武晨燕 |
| 地址： | 230000 安徽省合肥市*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本发明至少提供一种具有硅穿孔的芯片堆叠体，包括：第一芯片，第一芯片包括连接垫；第二芯片，其下表面与第一芯片的上表面相接合，第二芯片设有硅穿孔，硅穿孔贯穿于第一芯片并延伸至连接垫的上表面；绝缘层，覆盖所述硅穿孔的内侧壁；以及穿孔导体，由所述第二芯片连接垫上形成并填充于由所述绝缘层的内侧壁所形成的空间内，所述连接垫的边缘形状没有尖锐的顶角部，可以减小芯片堆叠时连接垫的应力，从而降低了连接垫破损的风险，进而提高芯片堆叠体的产量和良率。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 穿孔 芯片 堆叠 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种具有硅穿孔的芯片堆叠体，其特征在于，包括：第一芯片，包括连接垫，所述连接垫在边缘和边缘之间的顶角部为平滑线条；第二芯片，所述第二芯片的下表面与所述第一芯片的上表面相接合，所述第二芯片设有硅穿孔，所述硅穿孔贯穿于所述第二芯片并延伸至所述连接垫的上表面；绝缘层，覆盖所述硅穿孔的内侧壁；以及穿孔导体，由所述第一芯片的所述连接垫上形成并填充于由所述绝缘层的内侧壁所形成的空间内。
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