[发明专利]一种可调控组织的薄膜高通量制备的装置及其方法在审
| 申请号： | 201711262864.0 | 申请日： | 2017-12-04 |
| 公开（公告）号： | CN108034928A | 公开（公告）日： | 2018-05-15 |
| 发明（设计）人： | 庞晓露;杨杨;高克玮;杨会生;徐秋发;李东东;童海生 | 申请（专利权）人： | 北京科技大学 |
| 主分类号： | C23C14/35 | 分类号： | C23C14/35;C23C14/58;C23C14/16;C23C28/02 |
| 代理公司： | 北京金智普华知识产权代理有限公司 11401 | 代理人： | 皋吉甫 |
| 地址： | 100083*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种可调控组织的薄膜高通量制备的装置及其方法。该装置包括半导体激光器、XRD分析仪、具有成分梯度分布的薄膜样品以及场发射扫描电子显微镜。采用双靶磁控共溅射的方法制备成分梯度分布的薄膜样品，薄膜样品要求在横向上成分梯度分布，在纵向上均匀分布。薄膜样品在真空条件下采用激光热处理加热，激光采用线扫的方式自上向下扫描，激光能量不断改变。因此薄膜样品表面纵向上成分相同，热处理工艺参数不同，横向上成分不同，热处理工艺参数相同，因此可以研究成分‑组织对性能的影响。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 调控 组织 薄膜 通量 制备 装置 及其 方法 | ||
【主权项】：
1.一种可调控组织的薄膜高通量制备的装置，其特征在于，该装置包括基体，磁控溅射镀膜机和用于提供能量实现薄膜局部热处理的半导体激光器，其中，所述磁控溅射镀膜机采用双靶共溅射，所述基体位于所述磁控溅射镀膜机的双靶之间，且所述基体到所述磁控溅射镀膜机的双靶之间的距离相等。
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