[发明专利]磷扩散均匀性的修复方法在审
| 申请号： | 201711263983.8 | 申请日： | 2017-12-05 |
| 公开（公告）号： | CN107993930A | 公开（公告）日： | 2018-05-04 |
| 发明（设计）人： | 乐雄英;李静 | 申请（专利权）人： | 苏州润阳光伏科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/223 | 分类号： | H01L21/223;H01L31/18 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 215300 江苏省苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开一种磷扩散均匀性的修复方法，包括氧化、第一次沉积、第二次沉积、第三次沉积、推结五个步骤，且五个步骤于不相同的温度条件下完成。通过将传统的单步磷扩散过程变为多步扩散过程，同时将传统的恒温磷扩散过程变成了变温磷扩散过程，克服了传统的磷扩散方法在界面区域容易扩散不均匀的弊端，增加多步变温磷扩散处理，可以使磷扩散沉积的界面的均匀性得到比较好的修复，提高磷扩散的均匀性的同时，提升晶硅电池的转换效率。 | ||
| 搜索关键词： | 扩散 均匀 修复 方法 | ||
【主权项】：
一种磷扩散均匀性的修复方法，其特征在于，该方法依次包括如下步骤：（1）氧化；（2）第一次沉积；（3）第二次沉积；（4）第三次沉积；（5）推结；且上述步骤（1）~（5）于不相同的温度条件下完成。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
